Одоогоор нэг талст цахиур нарны хавтан судалгаа, аж үйлдвэржилтийн аль алинд нь хурдацтай хөгжсөн.

C-Si эсүүдэд нөлөөлдөг олон хүчин зүйлсийн дотроос цахиур хавтангийн чанар сайжирснаар бөөнөөр нь дахин нэгдэх нь багасч, жижгэрч, идэвхгүйжүүлэх шинэ давхарга, тэдгээрийг бэлтгэх технологи нь гадаргуугийн рекомбинацийг ихээхэн бууруулдаг. Тэдгээрийн дотроос металл электрод ба C-Si контактыг дахин нэгтгэх нь эсийн үр ашигт нөлөөлөх гол хүчин зүйл болж, онолын хязгаарын үр ашгийн ойролцоо хамгийн сүүлчийн хязгаарлагч хүчин зүйл гэж тооцогддог. Металл ба C-Si хоорондын холбоо барих цэг дэх рекомбинацийг багасгахын тулд нэг талаас металл ба C-Si хоорондын шууд холбоо барих хэсгийг эсийн арын хэсэгт хэсэгчлэн нээх замаар багасгадаг (үүнд PERC, PERL, болон PERT гэх мэт). Хэдийгээр хувиргах үр ашиг нь 25% буюу дөхөж байгаа боловч эдгээр эсүүдэд металл ба C-Si хоёрын хооронд шууд холбоо байсаар байгаа бөгөөд арын хэсгийг нээх процесс нь төвөгтэй бөгөөд нээлтийн үед цахиурын материалыг гэмтээх болно.

Нэмж дурдахад, орон нутгийн нээлтийн техник нь тээвэрлэгчийг зөвхөн контактын гадаргуутай перпендикуляр шилжих замаас хазайгаад зогсохгүй нүхэнд бөөгнөрөхөд хүргэдэг бөгөөд энэ нь дүүргэлтийн хүчин зүйл алдагдахад хүргэдэг. Нөгөөтэйгүүр, нээлхий хийх шаардлагагүй, өөрөөр хэлбэл зөөгчийг сонгон идэвхгүйжүүлэх контактуудгүйгээр тээвэрлэгчийг маш сайн идэвхижүүлэх, салгах, тээвэрлэх боломжтой шинэ контактын схемүүдийг боловсруулах шаардлагатай байна. Энэхүү шийдэл нь цахиурын хавтангийн гадаргууг бүхэлд нь (харьцах хэсэг ба холбоогүй хэсгийг оруулаад) идэвхгүй болгох боломжтой бөгөөд энэ үед зөөгч нь хоёр төгсгөлд электродуудын хооронд нэг хэмжээст тээвэрлэлт болдог бөгөөд энэ нь ашигтай байдаг. илүү өндөр дүүргэлтийн коэффициентийг авч, улмаар түүний хувиргах үр ашгийг сайжруулна.