Нарны зайн үйлдвэрлэл нь голчлон хагас дамжуулагч материал дээр суурилдаг. Түүний ажиллах зарчим нь гэрлийн энергийг шингээх, фотоэлектрик хувиргах урвал үүсгэхийн тулд фотоэлектрик материалыг ашиглах явдал юм. Ашигласан янз бүрийн материалын дагуу нарны зайг цахиурын нарны зай, органик бус давс, тухайлбал хүнцэл Галийн III-V нэгдлүүд, кадми сульфид, зэс индийн селен болон бусад олон бүрэлдэхүүн хэсэгтэй нэгдлүүд, функциональ байдлаар бэлтгэсэн том нарны зайд хувааж болно. полимер материал, нанокристалл нарны эсүүд гэх мэт.

Ихэвчлэн талст цахиур нарны хавтан 350-450 мкм зузаантай өндөр чанартай цахиур хавтан дээр хийгдсэн. Энэхүү цахиурын ялтсыг материал хэмнэхийн тулд татаж эсвэл цутгадаг. Одоогийн байдлаар поликристалл цахиур нимгэн хальсан эсийг химийн уурын хуримтлуулах аргаар бэлтгэж байна, үүнд бага даралттай химийн уурын хуримтлал (LPCVD) болон плазмын сайжруулсан химийн уурын хуримтлал (PECVD) процессууд орно. Нэмж дурдахад шингэн фазын эпитакси (LPPE) болон шүрших аргыг мөн полисиликон нимгэн хальсан эсийг үйлдвэрлэхэд ашиглаж болно.

Дахин талстжих процессоос гадна поликристалл цахиур нимгэн хальсан батерей нь нэг талст цахиурын нарны зайг бэлтгэх бараг бүх технологийг ашигладаг бөгөөд ингэснээр ийм аргаар бэлтгэсэн нарны зайн хувиргах үр ашгийг дээшлүүлдэг. Цутгамал цахиурын ембүүгээс хөрөөдөж.